2016-2022 All Rights Reserved.平安財經(jīng)網(wǎng).復制必究 聯(lián)系QQ280 715 8082 備案號:閩ICP備19027007號-6
本站除標明“本站原創(chuàng)”外所有信息均轉載自互聯(lián)網(wǎng) 版權歸原作者所有。
雖然許多人都知道三星是全球領先的電話制造商,但韓國人也在大力投資其他硬件,而本周,他們宣布了另一項重要成就。
三星已經(jīng)建立了世界上第一個使用High-K Metal Gate工藝技術的512GB DDR5模塊。
此技術也稱為HKMG,以前曾在邏輯半導體中使用,它可以在提高性能的同時將功耗降低多達13%。HKMG技術自2018年以來一直用于三星的GDDR6內(nèi)存,可創(chuàng)建專門為超級計算機中的高帶寬工作負載而構建的內(nèi)存模塊。
三星表示,它可以很好地應對AI和ML所執(zhí)行的任務,而且還可以應對數(shù)據(jù)分析應用程序。
三星的DDR5將采用傳統(tǒng)上用于邏輯半導體的高度先進的HKMG技術。隨著DRAM結構的不斷縮小,絕緣層變薄,導致更高的泄漏電流。通過用HKMG材料代替絕緣子,三星的DDR5將能夠減少泄漏并達到新的性能高度。這款新內(nèi)存還將節(jié)省大約13%的電能,使其特別適用于能源效率日益重要的數(shù)據(jù)中心。”該公司解釋說。
DDR4速度的兩倍
該模塊使用硅通孔技術(也稱為TSV)來堆疊總共八個不同的16GB DRAM芯片。
“通過將這種類型的工藝創(chuàng)新引入DRAM制造,我們能夠為客戶提供高性能,高能效的內(nèi)存解決方案,以為醫(yī)學研究,金融市場,自動駕駛,智慧城市及其他領域所需的計算機提供動力,”三星電子DRAM內(nèi)存計劃/支持小組副總裁Young-Soo Sohn解釋說。
新模塊將DDR4的性能提高了兩倍以上,每秒可傳輸高達7200兆比特的數(shù)據(jù)。
2016-2022 All Rights Reserved.平安財經(jīng)網(wǎng).復制必究 聯(lián)系QQ280 715 8082 備案號:閩ICP備19027007號-6
本站除標明“本站原創(chuàng)”外所有信息均轉載自互聯(lián)網(wǎng) 版權歸原作者所有。