三星推出用于半導(dǎo)體產(chǎn)品的新材料

2022-07-27 10:23:30 編輯：黨環(huán)泰來(lái)源：

導(dǎo)讀三星高級(jí)技術(shù)學(xué)院(SAIT)的研究人員宣布發(fā)現(xiàn)了一種新材料-非晶氮化硼(a-BN)。該發(fā)現(xiàn)是與蔚山國(guó)立科學(xué)技術(shù)研究院(UNIST)和劍橋大學(xué)的專(zhuān)家合作...

三星高級(jí)技術(shù)學(xué)院(SAIT)的研究人員宣布發(fā)現(xiàn)了一種新材料-非晶氮化硼(a-BN)。該發(fā)現(xiàn)是與蔚山國(guó)立科學(xué)技術(shù)研究院(UNIST)和劍橋大學(xué)的專(zhuān)家合作完成的。據(jù)說(shuō)將加速下一代半導(dǎo)體產(chǎn)品的出現(xiàn)。

最近，SAIT一直在研究和開(kāi)發(fā)二維(2D)材料-包括石墨烯在內(nèi)的單原子層的晶體材料。研究人員已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種新的石墨烯晶體管和一種用于生產(chǎn)大面積單晶晶片的新方法。

三星推出用于半導(dǎo)體產(chǎn)品的新材料

最近發(fā)現(xiàn)的一種稱(chēng)為非晶氮化硼(a-BN)的材料由硼和氮原子組成。盡管非晶態(tài)氮化硼是由白色石墨烯制成的，其中包括以六角形結(jié)構(gòu)排列的硼原子和氮原子，但a-BN的非晶態(tài)分子結(jié)構(gòu)使其具有獨(dú)特的區(qū)別。

非晶氮化硼的最佳超低介電常數(shù)為1.78。由于其合適的電氣和機(jī)械性能，該材料可用作絕緣材料，以最大程度地減少電氣干擾。還已經(jīng)證明該材料可以在相對(duì)較低的400°C溫度下在晶圓上生長(zhǎng)。非晶態(tài)氮化硼有望廣泛用于DRAM和NAND等半導(dǎo)體產(chǎn)品，尤其是在下一代服務(wù)器解決方案中。

標(biāo)簽：

免責(zé)聲明：本文由用戶上傳，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除！