三星SF3工藝開(kāi)始試生產(chǎn)半年內(nèi)將良率提至60% 具體情況如何

業(yè)內(nèi)消息人士1月21日透露稱，三星電子代工廠已經(jīng)針對(duì)其第2代3nm級(jí)工藝SF3開(kāi)始進(jìn)行試生產(chǎn)。該公司計(jì)劃將良率在未來(lái)的6個(gè)月內(nèi)提高到60%以上。

消息人士表示，三星目前正在對(duì)SF3節(jié)點(diǎn)上制造的芯片的可靠性和性能進(jìn)行測(cè)試。專門為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的應(yīng)用處理器預(yù)計(jì)將會(huì)是第1個(gè)使用三星SF3工藝的芯片，并且將會(huì)用于 Galaxy watch 7等計(jì)劃在今年晚些時(shí)候發(fā)布的產(chǎn)品當(dāng)中。

明年的Galaxy S25系列智能手機(jī)所搭載的Exynos 2500芯片預(yù)計(jì)將會(huì)使用這一節(jié)點(diǎn)。

此前三星方面曾經(jīng)表示，公司計(jì)劃從2024年下半年開(kāi)始進(jìn)行SF3芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。2023~2024年，將會(huì)主要生產(chǎn)3nm，包括SF3（3GAP）以及改進(jìn)的版本SF3P（3GAP+）。該公司還計(jì)劃將2nm節(jié)點(diǎn)在2025~2026年推出。

據(jù)介紹，在同一個(gè)單元內(nèi)，SF3節(jié)點(diǎn)可以實(shí)現(xiàn)不同的環(huán)繞炸晶體管納米片通道寬度，大大的提高了設(shè)計(jì)的靈活性，同時(shí)也使芯片的功耗更低，性能更高，采用優(yōu)化的設(shè)計(jì)，將晶體管的密度增加。