長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)開(kāi)始量產(chǎn)18.5納米DRAM初期月產(chǎn)10萬(wàn)片晶圓詳情如何

2024-01-27 15:30:44 編輯：司雁濤來(lái)源：

導(dǎo)讀有消息稱(chēng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，建在合肥的新工廠已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行18 5納米工藝的DRAM芯片的批量生產(chǎn)。合肥工廠一期目前已經(jīng)基本上接近滿(mǎn)負(fù)荷進(jìn)行生產(chǎn)，每個(gè)

有消息稱(chēng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，建在合肥的新工廠已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行18.5納米工藝的DRAM芯片的批量生產(chǎn)。合肥工廠一期目前已經(jīng)基本上接近滿(mǎn)負(fù)荷進(jìn)行生產(chǎn)，每個(gè)月的產(chǎn)量將可以到10萬(wàn)片晶圓。

合肥工廠二期的擴(kuò)建工程預(yù)計(jì)完成的時(shí)間是2024年底，屆時(shí)每個(gè)月的產(chǎn)量將會(huì)增加4萬(wàn)片晶圓。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM總產(chǎn)能，二期擴(kuò)建完成之后，在全球總規(guī)模中所占的比例將會(huì)達(dá)到10%。一直以來(lái)長(zhǎng)興存儲(chǔ)都專(zhuān)注于進(jìn)行DRAM存儲(chǔ)的生產(chǎn)和研發(fā)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)則專(zhuān)注于進(jìn)行NAND閃存的生產(chǎn)和研發(fā)，兩家公司通過(guò)不同的戰(zhàn)略布局，將發(fā)展的步伐進(jìn)一步加快。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在產(chǎn)能方面雖然面臨著全面的限制，但是由于現(xiàn)在已經(jīng)停止了關(guān)鍵設(shè)備的進(jìn)口，建立在本土工具和材料供應(yīng)鏈方面也存在著諸多的挑戰(zhàn)。但是在研發(fā)方面，該公司依然取得了新的進(jìn)展。不僅推出了超過(guò)300層的NAND閃存，還同時(shí)推出了120層的新產(chǎn)品，目標(biāo)就是將外部不利的因素克服，使中國(guó)的半導(dǎo)體能力不斷的向前發(fā)展。