這一光刻技術(shù)比EUV更具發(fā)展?jié)摿?比EUV更先進(jìn)

對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)而言，光刻技術(shù)和相應(yīng)的設(shè)備發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，光刻設(shè)備是把設(shè)計(jì)好的圖形從模板中轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上所采用的一種技術(shù)，之后就可以運(yùn)用在制造印刷電路板的工藝上。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的逐漸興起，光刻技術(shù)就開始運(yùn)用在各種晶體管和集成電路的制造上，目前，光刻技術(shù)也是IC制造領(lǐng)域中最基礎(chǔ)的技術(shù)之一。

在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史當(dāng)中，光刻技術(shù)的發(fā)展經(jīng)歷了很多階段，分布投影式光刻出現(xiàn)比較早，集成電路生產(chǎn)主要是采用了掃描式光刻，深紫外光刻和極紫外光刻等等。除此之外電子束光刻，激光直寫等技術(shù)也在不斷的研發(fā)當(dāng)中，比如直寫光刻技術(shù)采用激光直接轟擊在對(duì)象的表面層次上，讓目標(biāo)形成納米圖案構(gòu)造，這種技術(shù)無需過于昂貴的模板，生產(chǎn)周期也比較短，目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用在PCB和封裝領(lǐng)域。

在先進(jìn)封裝階段，光刻機(jī)主要是用于倒裝的凸塊，重分布層的制作工藝，與此前的制造階段不同，光刻工藝在封裝的時(shí)候需要用到金屬電極接觸。這樣對(duì)封裝用的光刻設(shè)備會(huì)有更小的寬處理，所以工藝精度的要求也會(huì)變得更加嚴(yán)格，在凸塊的制作過程中，光刻主要是運(yùn)用互聯(lián)的制造工藝流程。目前，業(yè)內(nèi)比較常見的工藝分別是印刷和電鍍的方式，在曝光的過程中需要將掩膜放在光組層上面，使其在照射區(qū)域發(fā)生一些化學(xué)變化。

相比于傳統(tǒng)的沖壓法，蝕刻法的精度會(huì)更高一些，能夠去生產(chǎn)多角位更加薄的產(chǎn)品，所以這項(xiàng)工藝也成為引線框架未來發(fā)展的主要路線，對(duì)于直寫光刻設(shè)備的需求量也有著更多的增長(zhǎng)，出于對(duì)成本和實(shí)用性的考量。目前國(guó)內(nèi)只有幾家封測(cè)大廠在嘗試使用直寫光刻代替掩膜光刻的設(shè)備。