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三星電子宣布已完成其10納米FinFET工藝技術(shù)的資格認(rèn)證程序,并準(zhǔn)備開始生產(chǎn)。三星的第二代10nm FinFET制程技術(shù)稱為10LPP(低功耗增強(qiáng)版)。10LPP建立在第一代10LPE(低功耗早期)工藝上。隨著3D FinFET結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步增強(qiáng),與具有相同面積縮放比例的第一代10LPE工藝相比,10LPP允許高達(dá)10%的性能或15%的功耗降低。
“憑借我們成功的10LPE生產(chǎn)經(jīng)驗,我們已經(jīng)開始生產(chǎn)10LPP,以保持我們在先進(jìn)節(jié)點代工市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。10LPP將成為我們針對高性能移動,計算和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的關(guān)鍵工藝產(chǎn)品之一,三星將繼續(xù)提供最先進(jìn)的邏輯工藝技術(shù)。”
—三星電子代工營銷副總裁Ryan Lee
為了滿足其姊妹單位和其他客戶對10nm工藝的長期需求,三星已開始在其韓國華城的最新S3生產(chǎn)線上安裝生產(chǎn)設(shè)備。S3系列產(chǎn)品有望在2017年第四季度投入生產(chǎn)。
第一代10LPE工藝為三星和其他使用三星或高通SoC的OEM的當(dāng)前旗艦產(chǎn)品提供了動力。目前尚不清楚我們何時可以期望采用基于10LPP流程構(gòu)建芯片的設(shè)備。
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