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GalaxyS10將采用與iPhone XS相同的芯片技術

2022-08-28 09:12:50 編輯:鐘超寬 來源:
導讀 三星周四宣布,它已經(jīng)開始生產(chǎn)EUV7nmLPP芯片,這是一個非常復雜的方式來告訴世界,7nm芯片將及時準備好,以便GalaxyS10明年推出。 如果7nm...

三星周四宣布,它已經(jīng)開始生產(chǎn)EUV7nmLPP芯片,這是一個非常復雜的方式來告訴世界,7nm芯片將及時準備好,以便GalaxyS10明年推出。 如果7nm聽起來很熟悉,那是因為包括華為和蘋果在內(nèi)的智能手機制造商已經(jīng)推出了這樣的設備。 華為是第一個推出7nm980,為Mate20Pro提供動力,但蘋果的7nmA12仿生芯片在iPhoneXS和XR模型中首先運往消費者。

那么EUV7nmLPP是什么意思,還是7LPP是什么意思?? 這是短缺的“7納米(N m)LP P(低功率加)與極端紫外線(E UV)光刻技術。”7nm芯片將比10nm芯片更快和更有效,為2018年Android旗艦的大部分,三星的GalaxyS9和注9包括在內(nèi)。

但根據(jù)三星的說法,EUV技術的有趣之處在于它可以降低這些芯片的制造成本:

V使用13.5nm波長的光來暴露硅片,而不是傳統(tǒng)的氟化氬(ArF)浸泡技術,這些技術只能實現(xiàn)193nm波長,并且需要昂貴的多圖案掩模集.. EUV允許使用單個掩模來創(chuàng)建硅片層,其中ArF可以需要多達4個掩模來創(chuàng)建同一層。

與其10nmFIN FET前輩相比,三星的7LPP技術不僅大大降低了工藝復雜性,更少的層和更好的產(chǎn)率,而且還提供了高達40%的面積效率和20%的高性能或高達50%的低功耗。

三星沒有在新聞稿中提到7nmExynos芯片的名稱,該芯片將于明年為GalaxyS10或GalaxyS10供電。 但很可能三星自己的7nm芯片技術將被用來提供處理器下一代銀河標志將需要。

有趣的是,幾天前臺積電還宣布(通過極端技術),它將繼續(xù)自己的7nmEUV計劃。 臺積電是三星最大的競爭對手之一,也是世界上最重要的芯片制造商。 它也是專門為蘋果生產(chǎn)A系列芯片的公司,包括7nmA12仿生。 但A12并不是建立在EUV技術上的-AnandTech今年早些時候解釋了臺積電現(xiàn)有的7nm:

臺積電的CLN7FF工藝技術將依賴于深紫外(DUV)光刻與氬氟化物(Ar F)準分子激光器在193nm波長上工作。 因此,世界上最大的半導體合同制造商將能夠使用現(xiàn)有的制造工具來制造7nm芯片。 同時,為了繼續(xù)使用DUV光刻,公司及其客戶必須使用多模式(三倍和四倍模式),這增加了設計和生產(chǎn)成本以及產(chǎn)品周期。

臺積電預計明年將生產(chǎn)7nm斯納普龍855,根據(jù)報道,該公司應更名為斯納普龍8150。 這是芯片,將為一些銀河S10和注10版本今年。 無論使用何種技術,7nm芯片都應該提供類似的性能,盡管不要指望三星的7nmExynos芯片能擊敗蘋果的A12。 但EUV將使公司更便宜地批量生產(chǎn)它。


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