著名國工程院外籍院士施敏去世

根據(jù)中國工程院官網(wǎng)“院士館”欄目在近日所更新的內(nèi)容中顯示，中國工程院的外籍院士美國國家工程院院士被稱之為“半導(dǎo)體一代宗師”的施敏教授在2023年的11月6號去世。根據(jù)媒體報道施敏在11月6號安詳離世，享年87歲，在發(fā)布的訃告中稱施敏的一生對半導(dǎo)體器件以及電子產(chǎn)品對于整個世界的貢獻也將會被人們銘記在心里。施敏也被稱之為“半導(dǎo)體一代宗師”根據(jù)中國工程院官網(wǎng)介紹非揮發(fā)MOS場效應(yīng)記憶晶體管就是施敏研究發(fā)現(xiàn)的。在微波器件、金半接觸，次微米金屬半場效應(yīng)晶體技術(shù)等領(lǐng)域中施敏都有非常大的貢獻，尤其是在電子元件領(lǐng)域中更是提供了非常扎實的基礎(chǔ)性以及前瞻性的貢獻。

根據(jù)公開資料顯示施敏1957年畢業(yè)于中國臺灣大學(xué)的電機系，在1960年通過自己的努力就在美國華盛頓大學(xué)獲得了電機工程碩士，后續(xù)又獲得了電機工程博士，1967年施敏教授和姜大元博士在美國共同發(fā)現(xiàn)了浮柵存儲效應(yīng)，也是廣泛應(yīng)用的快閃存儲器中的核心發(fā)明。

在半導(dǎo)體接觸、半導(dǎo)體設(shè)備、微波器件以及金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管等一系列技術(shù)的研發(fā)中，施敏教授作出的貢獻都具有開創(chuàng)性的意義，尤其是施敏教授參與研發(fā)的非易失性半導(dǎo)體存儲器面世之后，給半導(dǎo)體行業(yè)帶來的影響非常深遠(yuǎn)。

施敏教授還根據(jù)自己的專業(yè)技能撰寫了非常具有傳奇色彩的《半導(dǎo)體器件物理學(xué)》，這本書涉及到的專業(yè)知識領(lǐng)域非常強，想要接觸全球半導(dǎo)體以及集成電路方面的研究人員就可以通過這本書來學(xué)習(xí)到更多扎實的功底。而這本書也一直被研究生院的老師學(xué)生包括電子和光子行業(yè)的工程師引用。