三星宣布新的NAND閃存設(shè)施以滿足未來的數(shù)據(jù)中心和移動需求

先進存儲技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者三星電子今天宣布計劃擴大其在韓國平澤的 NAND 閃存產(chǎn)能，以增強該公司滿足新興技術(shù)需求的能力。今年 5 月開始的建設(shè)將為三星在 2021 年下半年量產(chǎn)尖端的 V-NAND 存儲器鋪平道路。

三星電子內(nèi)存全球銷售與營銷執(zhí)行副總裁 Cheol Choi 表示：“新投資重申了我們在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域保持無可爭議的領(lǐng)先地位的承諾，即使在不確定時期也是如此。“我們將繼續(xù)為市場提供最優(yōu)化的解決方案，同時為整個 IT 行業(yè)和整體經(jīng)濟的增長做出貢獻。”

在人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 擴張推動的第四次工業(yè)革命時代，新增容量將在幫助滿足 NAND 閃存的中長期需求方面發(fā)揮重要作用。隨著數(shù)字生活方式變得越來越流行，三星將繼續(xù)積極進行新的投資，以抓住未來的市場機遇。

三星的 NAND 閃存生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)從韓國的華城和平澤延伸到中國的西安。三星平澤園區(qū)成立于 2015 年，是下一代存儲技術(shù)的中心，由兩條世界上規(guī)模最大的生產(chǎn)線組成。

憑借其在制造和技術(shù)方面的顯著優(yōu)勢，三星在過去 18 年中一直在 NAND 閃存領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，最近的一項創(chuàng)新是去年 7 月推出的業(yè)界首款第六代(1xx 層)V-NAND。通過對全球工廠的平衡投資，三星旨在維持強大的生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)，進一步鞏固其市場領(lǐng)導(dǎo)地位。