據(jù)報道 臺積電將使用其5nm工藝生產(chǎn)2021年的Snapdragon 875

Qualcomm Snapdragon 865預(yù)計將成為芯片設(shè)計商為2020年高端手機(jī)設(shè)計的下一代頂級移動芯片組。對于那些沒有意識到的人，高通公司設(shè)計的芯片卻沒有制造它們的設(shè)備。在過去兩年中，它已轉(zhuǎn)向世界上最大的獨(dú)立代工廠臺積電(TSMC)，生產(chǎn)Snapdragon 845和855芯片組。在此之前，三星制造了Snapdragon 820和835 SoC。

并根據(jù)Sina.com發(fā)表的一份報告，高通公司返回三星生產(chǎn)的Snapdragon 865韓國科技巨頭將生產(chǎn)使用其7nm的EUV過程中的芯片。7nm的數(shù)字與芯片中的晶體管數(shù)量有關(guān)。該數(shù)字越低，芯片內(nèi)可容納的晶體管數(shù)量越多;芯片中的晶體管越多，功能越強(qiáng)大，能效越高。摩爾定律是英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)在1965年提出的一項(xiàng)觀察，他要求集成電路(如芯片)中的晶體管數(shù)量每隔一年翻一番。為了向您展示我們已經(jīng)走了多遠(yuǎn)，德州儀器OMAP 3430芯片在2009年為摩托羅拉DROID提供動力，采用65納米工藝制造!

一個版本的Snapdragon 865可能配備集成的5G調(diào)制解調(diào)器芯片

7nm EUV的EUV部分代表極紫外光刻。這是一種利用紫外光束更精確地標(biāo)記用于制造具有圖案的芯片的硅晶片的技術(shù)。這些圖案決定了晶體管放置在芯片內(nèi)的位置，當(dāng)使用短波長光束(如EUV使用的光束)在晶圓上蝕刻這些圖案時，可以在其內(nèi)部填充更多的晶體管。預(yù)計使用EUV可為Snapdragon 865提供20%至30%的性能提升和30%至50%的能耗改善。這些數(shù)據(jù)不能輕易實(shí)現(xiàn)。Snapdragon 865移動平臺可能會在三星Galaxy S11上首次亮相，它很可能會在2月24日巴塞羅那舉行的2020年MWC展會開幕時亮相。該芯片最近在Geekbench基準(zhǔn)測試網(wǎng)站上被發(fā)現(xiàn)它產(chǎn)生了多核心分?jǐn)?shù)12,496。相比之下，Snapdragon 855+移動平臺產(chǎn)生的分?jǐn)?shù)為10,946。后者是Snapdragon 855的超頻版本。

高通首席執(zhí)行官史蒂夫·莫倫科普夫(Steve Mollenkopf)帶領(lǐng)芯片設(shè)計師進(jìn)軍5G領(lǐng)域

雖然2020年的Snapdragon 865將由三星制造，但該報告顯示，將有兩個不同版本的代號為Kona和Huracan的芯片組。兩者都支持LPDDX5內(nèi)存芯片(RAM)和UFS 3.0閃存。但是，其中一個將與5G調(diào)制解調(diào)器芯片集成，另一個不會。上周，Huwaei發(fā)布了即將于9月6日亮相的即將推出的麒麟990 SoC的預(yù)告片。該組件預(yù)計將為制造商的下一代高端Mate 30電話線和可折疊的Mate X供電，它還將集成5G調(diào)制解調(diào)器芯片。這消除了對單獨(dú)組件的需要，并且還應(yīng)該改善使用這些芯片組的設(shè)備的電池壽命。

新浪網(wǎng)稱，對于2021年的Snapdragon 875移動平臺，高通將再次呼吁臺積電生產(chǎn)該組件。該報告補(bǔ)充說，Snapdragon 875芯片組將采用臺積電的5nm工藝制造。如果情況確實(shí)如此，該芯片每平方毫米將有1.713億個晶體管。因此，該組件應(yīng)該比其前身更強(qiáng)大和更節(jié)能。

那么摩爾定律會繼續(xù)有效嗎?去年，三星公布了一個導(dǎo)致3納米生產(chǎn)的路線圖，到2022年，臺積電也在尋找在芯片內(nèi)部填充更多晶