3nm芯片表現(xiàn)不及預(yù)期良率低提升不明顯離目標(biāo)值太遠(yuǎn)

2023-10-12 15:45:53 編輯：喬青興來源：

導(dǎo)讀近期，有專業(yè)的行業(yè)分析表示：三星和臺(tái)積電的3納米工藝，良率在50%左右。有知情人士爆料，三星要贏得高通等大客戶明年的3納米移動(dòng)芯片訂單...

近期，有專業(yè)的行業(yè)分析表示：三星和臺(tái)積電的3納米工藝，良率在50%左右。有知情人士爆料，三星要贏得高通等大客戶明年的3納米移動(dòng)芯片訂單，良品率至少需要達(dá)到70%左右。

3納米技術(shù)目前遇到的問題并不意外，是很多晶圓廠早在意料當(dāng)中的。當(dāng)下大規(guī)模集成電路興起，良品率一直提升不上來，讓很多公司都已經(jīng)放棄了相關(guān)產(chǎn)品。比如iPhone15 Pro發(fā)熱的主要原因則是來源于設(shè)計(jì)以及芯片兩大部分，而芯片采用的是3納米工藝的A17 Pro。晶體管尺寸不斷逼近物理極限的同時(shí)，量子遂川效應(yīng)也會(huì)帶來更加嚴(yán)重的問題。失控電子漏電會(huì)導(dǎo)致芯片更嚴(yán)重的發(fā)熱以及功耗等問題，從7納米技術(shù)之后，慢慢的發(fā)展至3納米技術(shù)，對(duì)于工廠的要求也越來越高。